浜松ホトニクス
世界初,シリコンフォトダイオードで近赤外域の高感度化を実現する技術を開発
浜松ホトニクスは,同社独自のレーザ加工技術により,世界で初めてシリコンフォトダイオード(以下Si-PD)に特殊な凹凸構造を形成して,波長950nmから1100nmの近赤外領域で大幅に高感度化を実現する技術を開発した。これにより,安価で取り扱いが簡単なシリコン高感度近赤外検出素子が量産可能となり,セキュリティ分野をはじめ,光通信,温度計測,蛍光測光などへの応用展開が期待される。
同社は,同技術を用いたSi-PDはもとより,シリコンアバランシェフォトダイオード(以下Si-APD)やCCD(電荷結合素子)の製品を本年3月以降,国内外に向け順次サンプル出荷していく予定。
同技術は,短パルスレーザを用いてシリコン上にマイクロメートルオーダーの特殊な凹凸構造を形成するもので,これにより通常は透過してしまう近赤外光を閉じ込めて吸収率を増やすことで光検出器の高感度化を実現する。例えば,波長1064nmで量子効率(感度)が25%のSi-PDに同技術を適用すると,約3倍の72%の値が得られる。これは光の吸収が増えた結果を示している。
素子の高速化のためには検出器の薄型化が必須であり,応答速度と感度がトレードオフの関係だが,同技術を用いることにより高速で高感度を併せ持つ素子の安価で大量生産が実現する。
同技術を用いたフォトダイオードの新製品としては,YAGレーザ(1064nm)のモニタ,850nm帯1Gbps光データリンク,NOx検出,科学計測などの用途に販売していく。CCDの新製品は,700nmから1100nmの波長域を計測するラマン分光器に最適。なぜなら,この波長域で感度が高いことに加え,エタロン特性の低減効果も確認されているためである。
また,同技術を採用した新製品として,Si -PIN PDで4品番,Si -APDで4品番,CCDで3品番そろえ,いずれも同技術により,現行製品の仕様をほとんど変えることなく近赤外域感度を大幅に向上。今後は,CMOSイメージセンサなど,他のシリコン検出器への適用も期待される。
HP ： http://jp.hamamatsu.com/
| 型名 |
サンプル出荷日 |
サンプル価格 |
量産開始日 |
量産価格 |
| S11498 |
2010年4月 |
1,200円 |
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| S11498-01 |
2010年4月 |
1,200円 |
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| S11499 |
2010年4月 |
20,000円 |
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| S11499-01 |
2010年4月 |
30,000円 |
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| S11518-10 |
2010年4月 |
20,000円 |
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| S11518-30 |
2010年4月 |
50,000円 |
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| S11519-10 |
2010年4月 |
20,000円 |
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| S11519-30 |
2010年4月 |
50,000円 |
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| S11500-1007 |
2010年3月 |
280,000円 |
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| S11510-1106 |
2010年3月 |
55,200円 |
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| S11510-1006 |
2010年3月 |
46,500円 |
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ニュースリリース 
